在多晶硅的生產(chǎn)中，還會產(chǎn)生一定的廢氣和殘液，目前我們的催化燃燒設(shè)備已經(jīng)比較先進(jìn)，對以前的處理技術(shù)進(jìn)行了改進(jìn)，已經(jīng)達(dá)到了較高的水平。
多晶硅是太陽能和微電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵原材料，隨著我國太陽能產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，多晶硅的需求量也與日俱增。目前，多晶硅工藝技術(shù)空前活躍。主要有西門子法、冶金法、等離子法、硅烷法、流化床法、熔鹽電解法、無氯工藝技術(shù)等。西門子法是通過氣相沉積的方式生產(chǎn)柱狀多晶硅。為了提高原料利用率，在原基礎(chǔ)上采用閉環(huán)式生產(chǎn)工藝即改良西門子法。改良西門子工藝生產(chǎn)的多晶硅產(chǎn)能約占世界總產(chǎn)能的80%。
國內(nèi)外對西門子法制備高純多晶硅的研究較多。如張玉等人采用催化化學(xué)氣相沉積法制備多晶硅薄膜;美國M.M.Dahl等人研究了多晶硅在流化床中的微觀結(jié)構(gòu)和顆粒生長。此外，多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)還有碳熱還原法、區(qū)域熔煉法等。碳熱還原法是利用高純碳還原二氧化硅制取多晶硅，區(qū)域熔煉法是利用金屬定向凝固原理將金屬級硅提純到、太陽能級硅的。
廢氣和殘液的處理
在多晶硅制備中有大量的廢氣和廢液產(chǎn)生，國內(nèi)多數(shù)單位通常先用水洗水解，然后通過NaOH中和廢氣處理和殘液處理工序。
廢氣凈化
氯硅烷分離提純工序各精餾塔頂排放的含氯硅烷、氮氣的廢氣，及含氯硅烷、氫氣、氮氣、氯化氫的多晶硅還原爐置換吹掃氣和多晶硅還原爐事故排放氣等，被送進(jìn)尾氣洗滌塔組，用水(鹽酸溶液)洗滌，廢氣中的氯硅烷與水發(fā)生以下反應(yīng)而被除去：
SiHCl3+2H2O=SiO2+3HCl+H2
SiCl4+2H2O=SiO2+4HCl
SiH2Cl2+2H2O=SiO2+2HCl+H2
出尾氣處理塔頂含有氮氣和氫氣的廢氣經(jīng)液封罐放空，出尾氣處理塔塔底含有SiO2固體的鹽酸溶液用泵送入工藝廢料處理工序。
